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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N50D2
  仓库库存编号：IXTY08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 312pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N50D2
  仓库库存编号：IXTP08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 312pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N50D2
  仓库库存编号：IXTA08N50D2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 312pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 61W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N60ZT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 312pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD03N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD03N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD03N60Z-1G-ND
  NDD03N60Z-1GOS
  NDD03N60Z1G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 312pF @ 25V,
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