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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP06N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP06N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014697
  SPP06N60C3
  SPP06N60C3-ND
  SPP06N60C3IN
  SPP06N60C3IN-ND
  SPP06N60C3X
  SPP06N60C3XK
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830AS
  仓库库存编号：IRF830AS-ND
  别名：*IRF830AS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830AL
  仓库库存编号：IRF830AL-ND
  别名：*IRF830AL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830ASTRL
  仓库库存编号：IRF830ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 3.8W（Ta），88W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF634NLPBF
  仓库库存编号：IRF634NLPBF-ND
  别名：*IRF634NLPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 3.8W（Ta），88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634NPBF
  仓库库存编号：IRF634NPBF-ND
  别名：*IRF634NPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 3.8W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634NSPBF
  仓库库存编号：IRF634NSPBF-ND
  别名：*IRF634NSPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TM
  仓库库存编号：FQD6N40TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TF
  仓库库存编号：FQD6N40TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：HUFA76413DK8T
  仓库库存编号：HUFA76413DK8TCT-ND
  别名：HUFA76413DK8TCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY5N50P
  仓库库存编号：IXTY5N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6416AN-1G
  仓库库存编号：NTD6416AN-1GOS-ND
  别名：NTD6416AN-1G-ND
  NTD6416AN-1GOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4006DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4006DPD-00#J2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8A（Ta） 29W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4006DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4006DPP-M0#T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2319ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2319ES-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 104W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT5N50_001
  仓库库存编号：AOT5N50_001-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU13N15D
  仓库库存编号：IRFU13N15D-ND
  别名：*IRFU13N15D
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NL
  仓库库存编号：IRF9Z34NL-ND
  别名：*IRF9Z34NL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRR
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9Z34N
  仓库库存编号：IRFI9Z34N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRL
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NLPBF
  SP001570616
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V,
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