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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA415DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA415DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA415DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR424DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR424DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR424DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1C026ZPT2CR
  仓库库存编号：RW1C026ZPT2CRCT-ND
  别名：RW1C026ZPT2CRCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） LFPAK
  
  型号：RJK0305DPB-02#J0
  仓库库存编号：RJK0305DPB-02#J0TR-ND
  别名：RJK0305DPB-02#J0-ND
  RJK0305DPB-02#J0TR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8211(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8211(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MP
  
  型号：IRF6633TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6633TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6633TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
  
  型号：IRF6633TR1
  仓库库存编号：IRF6633TR1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 10V,
• 含铅
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