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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT29F100B2
仓库库存编号:
APT29F100B2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT31M100L
仓库库存编号:
APT31M100L-ND
别名:APT31M100LMP
APT31M100LMP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E2R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7242-ND
别名:1727-7242
568-9850-5
568-9850-5-ND
934066416127
BUK7E2R340E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP220N06T3
仓库库存编号:
IXFP220N06T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-263
型号:
IXFA220N06T3
仓库库存编号:
IXFA220N06T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-247
型号:
IXFH220N06T3
仓库库存编号:
IXFH220N06T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19F100J
仓库库存编号:
APT19F100J-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-1089-1-ND
别名:1727-1089-1
568-10242-1
568-10242-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7235-ND
别名:1727-7235
568-9839-5
568-9839-5-ND
934066423127
BUK752R340E127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 90A(Tc) 1100W(Tc) TO-264
型号:
IXFK90N60X
仓库库存编号:
IXFK90N60X-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 90A(Tc) 1100W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX90N60X
仓库库存编号:
IXFX90N60X-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT31M100B2
仓库库存编号:
APT31M100B2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT29F100L
仓库库存编号:
APT29F100L-ND
别名:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 97A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M22JVRU2
仓库库存编号:
APT20M22JVRU2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 97A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M22JVRU3
仓库库存编号:
APT20M22JVRU3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 55V 75A(Tc) 3.7W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP75P05-08-E3
仓库库存编号:
SUP75P05-08-E3-ND
别名:SUP75P05-08-E3CT
SUP75P05-08-E3CT-ND
SUP75P0508E3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V,
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