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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16327Q3
  仓库库存编号：296-30138-1-ND
  别名：296-30138-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16323Q3
  仓库库存编号：296-24522-1-ND
  别名：296-24522-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3）
  
  型号：CSD16323Q3C
  仓库库存编号：296-28096-1-ND
  别名：296-28096-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16408Q5C
  仓库库存编号：296-25647-1-ND
  别名：296-25647-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16408Q5
  仓库库存编号：296-25321-1-ND
  别名：296-25321-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V,
• 含铅
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