规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),16A(Tc) 2.3W(Ta),35W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC3612
仓库库存编号:
FDMC3612CT-ND
别名:FDMC3612CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号:
TPN3300ANHLQCT-ND
别名:TPN3300ANHLQCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N65K3
仓库库存编号:
497-13593-5-ND
别名:497-13593-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI6N65K3
仓库库存编号:
497-13599-5-ND
别名:497-13599-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65K3
仓库库存编号:
497-12424-ND
别名:497-12424
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 50V,
无铅
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