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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP02N80C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP02N80C3XKSA1-ND
  别名：SP000683150
  SPP02N80C3
  SPP02N80C3IN
  SPP02N80C3IN-ND
  SPP02N80C3X
  SPP02N80C3XK
  SPP02N80C3XTIN
  SPP02N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA02N80C3
  仓库库存编号：SPA02N80C3IN-ND
  别名：SP000216295
  SPA02N80C3IN
  SPA02N80C3XK
  SPA02N80C3XKSA1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEAKMA1-ND
  别名：SP001593932
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEBKMA1-ND
  别名：SP001100622
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEBTMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 100V,
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