以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R280CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R280CEXKSA2-ND
  别名：SP001217218
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R280CEXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R280CEXKSA1-ND
  别名：IPP50R280CE
  IPP50R280CEIN
  IPP50R280CEIN-ND
  SP000850810
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R280CE
  仓库库存编号：IPW50R280CEIN-ND
  别名：IPW50R280CEFKSA1
  IPW50R280CEIN
  SP000850804
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.1A（Tc） 119W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R280CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEBTMA1CT
  IPD50R280CEIN
  IPD50R280CEIN-ND
  IPD50R280CEINCT
  IPD50R280CEINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 30.4W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R280CE
  仓库库存编号：IPA50R280CEIN-ND
  别名：IPA50R280CEIN
  IPA50R280CEXKSA1
  SP000848218
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 119W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 773pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索