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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60-GE3
  仓库库存编号：SUD19P06-60-GE3CT-ND
  别名：SUD19P06-60-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 2.7W（Ta），46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60L-E3
  仓库库存编号：SUD19P06-60L-E3CT-ND
  别名：SUD19P06-60L-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），44A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3672
  仓库库存编号：FDD3672CT-ND
  别名：FDD3672CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60-E3
  仓库库存编号：SUD19P06-60-E3CT-ND
  别名：SUD19P06-60-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672_F085
  仓库库存编号：FDB3672_F085CT-ND
  别名：FDB3672_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25NF10LA
  仓库库存编号：497-12552-1-ND
  别名：497-12552-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3518TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3518TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3518TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD25NF10LT4
  仓库库存编号：497-3156-1-ND
  别名：497-3156-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672
  仓库库存编号：FDB3672-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF540A
  仓库库存编号：IRF540A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：IRFS540A
  仓库库存编号：IRFS540A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFW540ATM
  仓库库存编号：IRFW540ATM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP73N03S2L08XK
  仓库库存编号：SPP73N03S2L08XK-ND
  别名：SP000013465
  SPP73N03S2L-08
  SPP73N03S2L-08IN
  SPP73N03S2L-08IN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08INTR-ND
  别名：SPB73N03S2L08INTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L08T
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08T-ND
  别名：SP000016257
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08 G
  仓库库存编号：SPB73N03S2L-08 G-ND
  别名：SP000200138
  SPB73N03S2L08GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPI73N03S2L-08-ND
  别名：SP000016263
  SPI73N03S2L08X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 38A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3518-701PBF
  仓库库存编号：IRFU3518-701PBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1710pF @ 25V,
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