以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），16.5A（Tc） 2.1W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC8878
  仓库库存编号：FDMC8878CT-ND
  别名：FDMC8878CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V PWR33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），16.5A（Tc） 2.1W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8878_F126
  仓库库存编号：FDMC8878_F126CT-ND
  别名：FDMC8878_F126CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6690A
  仓库库存编号：FDD6690ACT-ND
  别名：FDD6690ACT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6030L
  仓库库存编号：FDD6030LCT-ND
  别名：FDD6030LCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7114ADN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5480DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5480DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5480DU-T1-E3CT
  SI5480DUT1E3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6680
  仓库库存编号：FDD6680-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6680
  仓库库存编号：FDU6680-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 4.8W（Ta），44.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR408DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR408DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR408DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5480DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5480DU-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
  
  型号：IRF6100
  仓库库存编号：IRF6100CT-ND
  别名：*IRF6100
  IRF6100CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
  
  型号：IRF6100PBF
  仓库库存编号：IRF6100PBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1230pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索