规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N50UT
仓库库存编号:
FDPF10N50UT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12.1A(Tc) 8.9W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT55AN06LA0
仓库库存编号:
FDT55AN06LA0CT-ND
别名:FDT55AN06LA0CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 7.5W(Ta),62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-11-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-11-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名:SPP42N03S2L-13IN
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L13T
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13T-ND
别名:SP000016256
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13TIN-ND
别名:SP000013464
SPP42N03S2L-13XTIN
SPP42N03S2L-13XTIN-ND
SPP42N03S2L13X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13 G
仓库库存编号:
SPB42N03S2L-13 G-ND
别名:SP000200137
SPB42N03S2L13GXT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPI42N03S2L-13-ND
别名:SP000013897
SPI42N03S2L13X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1130pF @ 25V,
无铅
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