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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-06P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-06P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-06P-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 107W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK65S04N1LLQCT-ND
别名:TK65S04N1LLQCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0455DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0455DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0455DPB-00#J5-ND
RJK0455DPB-00#J5TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0855DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0855DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1055DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1055DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1055DPB-00#J5CT
RJK1055DPB00J5
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