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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K6R2-40EX
仓库库存编号:
1727-1893-1-ND
别名:1727-1893-1
568-11626-1
568-11626-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6218STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6218STRLPBFCT-ND
别名:IRF6218STRLPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6218PBF
仓库库存编号:
IRF6218PBF-ND
别名:*IRF6218PBF
SP001564812
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A,118
仓库库存编号:
1727-7180-1-ND
别名:1727-7180-1
568-9666-1
568-9666-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9620-55A,118
仓库库存编号:
1727-7192-1-ND
别名:1727-7192-1
568-9681-1
568-9681-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB85NF3LLT4
仓库库存编号:
497-7953-1-ND
别名:497-7953-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 143W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N50CFTM_WS
仓库库存编号:
FQB10N50CFTM_WSCT-ND
别名:FQB10N50CFTM_WSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD60NF3LLT4
仓库库存编号:
497-2476-1-ND
别名:497-2476-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10P15T
仓库库存编号:
IXTP10P15T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY10P15T
仓库库存编号:
IXTY10P15T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N055P
仓库库存编号:
IXTP110N055P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 390W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA110N055P
仓库库存编号:
IXTA110N055P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 390W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ110N055P
仓库库存编号:
IXTQ110N055P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218STRL
仓库库存编号:
AUIRF6218STRLTR-ND
别名:AUIRF6218STRLTR
SP001517990
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9520-55A,127
仓库库存编号:
568-9731-5-ND
别名:568-9731-5
934056254127
BUK9520-55A
BUK9520-55A,127-ND
BUK9520-55A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9618-55A,118
仓库库存编号:
568-9679-1-ND
别名:568-9679-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9518-55A,127
仓库库存编号:
568-9736-5-ND
别名:568-9736-5
934056811127
BUK9518-55A
BUK9518-55A,127-ND
BUK9518-55A-ND
BUK951855A127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 17A(Tc) 280W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB16N50K
仓库库存编号:
IRFB16N50K-ND
别名:*IRFB16N50K
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 17A(Tc) 280W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB16N50KPBF
仓库库存编号:
IRFB16N50KPBF-ND
别名:*IRFB16N50KPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名:IRF6644TR1PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名:934061635118
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644
仓库库存编号:
IRF6644-ND
别名:SP001574786
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1
仓库库存编号:
IRF6644TR1-ND
别名:SP001561926
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218S
仓库库存编号:
AUIRF6218S-ND
别名:SP001516490
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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