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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2540N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ14STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G-P002
  仓库库存编号：VN3205N3-G-P002-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VN3205N8-G
  仓库库存编号：VN3205N8-G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VP3203N8-G
  仓库库存编号：VP3203N8-G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TP2640LG-G
  仓库库存编号：TP2640LG-G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014
  仓库库存编号：IRFR014-ND
  别名：*IRFR014
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ14
  仓库库存编号：IRFZ14-ND
  别名：*IRFZ14
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ14G
  仓库库存编号：IRFIZ14G-ND
  别名：*IRFIZ14G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL014
  仓库库存编号：IRFL014-ND
  别名：*IRFL014
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL014TR
  仓库库存编号：IRFL014TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TR
  仓库库存编号：IRFR014TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU014
  仓库库存编号：IRFU014-ND
  别名：*IRFU014
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14S
  仓库库存编号：IRFZ14S-ND
  别名：*IRFZ14S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TRL
  仓库库存编号：IRFR014TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TRR
  仓库库存编号：IRFR014TRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ10
  仓库库存编号：IRFZ10-ND
  别名：*IRFZ10
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ14L
  仓库库存编号：IRFZ14L-ND
  别名：*IRFZ14L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14STRL
  仓库库存编号：IRFZ14STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14STRR
  仓库库存编号：IRFZ14STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU6N25TU
  仓库库存编号：FQU6N25TU-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N25
  仓库库存编号：FQPF6N25-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055SM
  仓库库存编号：RFD3055SM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N25TF
  仓库库存编号：FQD6N25TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD3055
  仓库库存编号：RFD3055-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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