以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.2W（Ta），50W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5690
  仓库库存编号：FDD5690CT-ND
  别名：FDD5690CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5803TRPBF
  仓库库存编号：IRF5803TRPBFCT-ND
  别名：IRF5803TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9393TRPBF
  仓库库存编号：IRF9393TRPBFCT-ND
  别名：IRF9393TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK60Z
  仓库库存编号：497-12620-5-ND
  别名：497-12620-5
  STP9NK60Z-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK60ZFP
  仓库库存编号：497-5983-5-ND
  别名：497-5983-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 57W（Tc） TO-220FP
  
  型号：CDM2208-800FP SL
  仓库库存编号：CDM2208-800FP SL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB9NK60ZT4
  仓库库存编号：497-12544-2-ND
  别名：497-12544-2
  STB9NK60ZT4-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 184W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N40L
  仓库库存编号：AOT12N40L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK60ZD
  仓库库存编号：497-4387-5-ND
  别名：497-4387-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF9NK60ZD
  仓库库存编号：497-4346-5-ND
  别名：497-4346-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB9NK60ZDT4
  仓库库存编号：497-4325-1-ND
  别名：497-4325-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 12A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N35
  仓库库存编号：FDPF12N35-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5803
  仓库库存编号：IRF5803-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF5803D2
  仓库库存编号：IRF5803D2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF5803D2TR
  仓库库存编号：IRF5803D2TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5803TR
  仓库库存编号：IRF5803TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF5803D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF5803D2TRPBFCT-ND
  别名：IRF5803D2TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1110pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索