规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 125W(Tc) DPAK+
型号:
TK33S10N1Z,LQ
仓库库存编号:
TK33S10N1ZLQCT-ND
别名:TK33S10N1ZLQCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 45W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0851DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0851DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0851DPB-00#J5-ND
RJK0851DPB-00#J5TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460
仓库库存编号:
IRF7460-ND
别名:*IRF7460
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460TR
仓库库存编号:
IRF7460TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460TRPBF
仓库库存编号:
IRF7460PBFCT-ND
别名:*IRF7460TRPBF
IRF7460PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 10V,
无铅
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