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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6030BL
  仓库库存编号：FDP6030BL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSC0924NDIATMA1
  仓库库存编号：BSC0924NDIATMA1-ND
  别名：SP000934750
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSC0923NDIATMA1
  仓库库存编号：BSC0923NDIATMA1-ND
  别名：SP000934758
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6614A
  仓库库存编号：FDS6614A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6030BL
  仓库库存编号：FDB6030BL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7914TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7914TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7914TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 15V,
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