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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18563Q5A
  仓库库存编号：296-36511-1-ND
  别名：296-36511-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
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  含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18563Q5AT
  仓库库存编号：296-37748-1-ND
  别名：296-37748-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC066N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC066N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC066N06NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta）, 46W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ068N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ068N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ068N06NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Ta） 2.5W（Ta），190W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4210
  仓库库存编号：2SK4210-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Ta） 2.5W（Ta），190W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4209
  仓库库存编号：2SK4209-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 30V,
• 无铅
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