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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD70N03L-1
仓库库存编号:
STD70N03L-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60N55F3
仓库库存编号:
497-7528-5-ND
别名:497-7528-5
STP60N55F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP90N4F3
仓库库存编号:
497-7534-5-ND
别名:497-7534-5
STP90N4F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD90N4F3
仓库库存编号:
497-8481-1-ND
别名:497-8481-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 42A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF60N55F3
仓库库存编号:
STF60N55F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI90N4F3
仓库库存编号:
STI90N4F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU90N4F3
仓库库存编号:
STU90N4F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU95N4F3
仓库库存编号:
STU95N4F3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD95N3LLH6
仓库库存编号:
497-8891-1-ND
别名:497-8891-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB95N3LLH6
仓库库存编号:
497-10022-1-ND
别名:497-10022-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU95N3LLH6
仓库库存编号:
497-12704-5-ND
别名:497-12704-5
STU95N3LLH6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540
仓库库存编号:
IRL540-ND
别名:*IRL540
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540S
仓库库存编号:
IRL540S-ND
别名:*IRL540S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450LC
仓库库存编号:
IRFP450LC-ND
别名:*IRFP450LC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350LC
仓库库存编号:
IRFP350LC-ND
别名:*IRFP350LC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL540L
仓库库存编号:
IRL540L-ND
别名:*IRL540L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540STRL
仓库库存编号:
IRL540STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540STRR
仓库库存编号:
IRL540STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20L
仓库库存编号:
FQP19N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF19N20L
仓库库存编号:
FQAF19N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA19N20L
仓库库存编号:
FQA19N20L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 22A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75939P3
仓库库存编号:
HUF75939P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT12F60K
仓库库存编号:
APT12F60K-ND
别名:APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD200N10TL
仓库库存编号:
RSD200N10TLCT-ND
别名:RSD200N10TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 28A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP32N20C_F080
仓库库存编号:
FQP32N20C_F080-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
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