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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA439EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA439EDJ-T1-GE3TR-ND
别名:SIA439EDJ-T1-GE3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706S
仓库库存编号:
IRF3706S-ND
别名:*IRF3706S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3706
仓库库存编号:
IRF3706-ND
别名:*IRF3706
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706L
仓库库存编号:
IRF3706L-ND
别名:*IRF3706L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRL
仓库库存编号:
IRF3706STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRR
仓库库存编号:
IRF3706STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706
仓库库存编号:
IRFR3706-ND
别名:*IRFR3706
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706
仓库库存编号:
IRFU3706-ND
别名:*IRFU3706
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TR
仓库库存编号:
IRFR3706TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRL
仓库库存编号:
IRFR3706TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRR
仓库库存编号:
IRFR3706TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3706PBF
仓库库存编号:
IRF3706PBF-ND
别名:*IRF3706PBF
SP001563152
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706LPBF
仓库库存编号:
IRF3706LPBF-ND
别名:*IRF3706LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706SPBF
仓库库存编号:
IRF3706SPBF-ND
别名:*IRF3706SPBF
SP001561640
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706PBF
仓库库存编号:
IRFU3706PBF-ND
别名:*IRFU3706PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3706PBFCT-ND
别名:*IRFR3706TRPBF
IRFR3706PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3706-701PBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
无铅
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MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
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MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
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MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CTRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 10V,
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MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRLPBF-ND
别名:SP001561768
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