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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2524N8-G
仓库库存编号:
TN2524N8-GCT-ND
别名:TN2524N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2540N8-G
仓库库存编号:
TN2540N8-GCT-ND
别名:TN2540N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 125mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2540N8-G
仓库库存编号:
TP2540N8-GCT-ND
别名:TP2540N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G
仓库库存编号:
VN2410L-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2406L-G
仓库库存编号:
VN2406L-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G
仓库库存编号:
VN1206L-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP2535N3-G
仓库库存编号:
TP2535N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TN2540N3-G
仓库库存编号:
TN2540N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP2540N3-G
仓库库存编号:
TP2540N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 730mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2510N8-G
仓库库存编号:
TN2510N8-GCT-ND
别名:TN2510N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 480mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2510N8-G
仓库库存编号:
TP2510N8-GCT-ND
别名:TP2510N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P013
仓库库存编号:
VN2410L-G-P013-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P014
仓库库存编号:
VN2410L-G-P014-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 400V 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TN2540N3-G-P002
仓库库存编号:
TN2540N3-G-P002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2520N8-G
仓库库存编号:
TP2520N8-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 220V 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2522N8-G
仓库库存编号:
TP2522N8-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP2540N3-G-P002
仓库库存编号:
TP2540N3-G-P002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 240V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TD9944TG-G
仓库库存编号:
TD9944TG-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G-P002
仓库库存编号:
VN1206L-G-P002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 700mA(Tc) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
MMFT2406T1
仓库库存编号:
MMFT2406T1OSDKR-ND
别名:MMFT2406T1OSDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LG
仓库库存编号:
VN2410LGOS-ND
别名:VN2410LGOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 125pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LZL1G
仓库库存编号:
VN2410LZL1GOSCT-ND
别名:VN2410LZL1GOSCT
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无铅
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