以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRPBF
  仓库库存编号：IRFR420PBFCT-ND
  别名：*IRFR420TRPBF
  IRFR420PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRPBFCT-ND
  别名：IRFR120TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3535N8-G
  仓库库存编号：DN3535N8-GCT-ND
  别名：DN3535N8-GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3545N8-G
  仓库库存编号：DN3545N8-GCT-ND
  别名：DN3545N8-GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN3545N3-G
  仓库库存编号：DN3545N3-G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD120PBF
  仓库库存编号：IRFD120PBF-ND
  别名：*IRFD120PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL620PBF
  仓库库存编号：IRL620PBF-ND
  别名：*IRL620PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120PBF
  仓库库存编号：IRFR120PBF-ND
  别名：*IRFR120PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU120PBF
  仓库库存编号：IRFU120PBF-ND
  别名：*IRFU120PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD123PBF
  仓库库存编号：IRFD123PBF-ND
  别名：*IRFD123PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI520GPBF
  仓库库存编号：IRFI520GPBF-ND
  别名：*IRFI520GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI820GPBF
  仓库库存编号：IRFI820GPBF-ND
  别名：*IRFI820GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD420PBF
  仓库库存编号：IRFD420PBF-ND
  别名：*IRFD420PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU420PBF
  仓库库存编号：IRFU420PBF-ND
  别名：*IRFU420PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820PBF
  仓库库存编号：IRF820PBF-ND
  别名：*IRF820PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL620SPBF
  仓库库存编号：IRL620SPBF-ND
  别名：*IRL620SPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820SPBF
  仓库库存编号：IRF820SPBF-ND
  别名：*IRF820SPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR420TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR420TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520SPBF
  仓库库存编号：IRF520SPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR120LPBFTR-ND
  别名：IRFR120LPBFTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR420TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820LPBF
  仓库库存编号：IRF820LPBF-ND
  别名：*IRF820LPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820STRLPBF
  仓库库存编号：IRF820STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索