规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(63)
分立半导体产品
(63)
筛选品牌
Microchip Technology (3)
Global Power Technologies Group (4)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (53)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRRPBF
仓库库存编号：
IRF820STRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRLPBF
仓库库存编号：
IRL620STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820G
仓库库存编号：
IRFI820G-ND
别名：*IRFI820G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820
仓库库存编号：
IRF820IR-ND
别名：*IRF820
IRF820IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120
仓库库存编号：
IRFD120-ND
别名：*IRFD120
IRFD121
IRFD122
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520
仓库库存编号：
IRF520IR-ND
别名：*IRF520
IRF520IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820S
仓库库存编号：
IRF820S-ND
别名：*IRF820S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD420
仓库库存编号：
IRFD420-ND
别名：*IRFD420
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120
仓库库存编号：
IRFR120IR-ND
别名：*IRFR120
IRFR120IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TR
仓库库存编号：
IRFR120TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRL
仓库库存编号：
IRFR120TRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420
仓库库存编号：
IRFR420-ND
别名：*IRFR420
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420TR
仓库库存编号：
IRFR420TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120
仓库库存编号：
IRFU120IR-ND
别名：*IRFU120
IRFU120IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420
仓库库存编号：
IRFU420-ND
别名：*IRFU420
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL620
仓库库存编号：
IRL620-ND
别名：*IRL620
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620S
仓库库存编号：
IRL620S-ND
别名：*IRL620S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI620G
仓库库存编号：
IRLI620G-ND
别名：*IRLI620G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520S
仓库库存编号：
IRF520S-ND
别名：*IRF520S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRL
仓库库存编号：
IRF520STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRR
仓库库存编号：
IRF520STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820L
仓库库存编号：
IRF820L-ND
别名：*IRF820L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRL
仓库库存编号：
IRF820STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRR
仓库库存编号：
IRF820STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI520G
仓库库存编号：
IRFI520G-ND
别名：*IRFI520G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
