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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),61A(Tc) 4.1W(Ta),118W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-09L-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH40N30
仓库库存编号:
IXFH40N30-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-1
型号:
BTS282ZE3180AATMA2
仓库库存编号:
BTS282ZE3180AATMA2CT-ND
别名:BTS282ZE3180AATMA2CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7
型号:
BTS282ZE3230AKSA2
仓库库存编号:
BTS282ZE3230AKSA2-ND
别名:SP000969786
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXTT82N25P
仓库库存编号:
IXTT82N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N50Q3
仓库库存编号:
IXFR44N50Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP90N55F4
仓库库存编号:
497-10399-5-ND
别名:497-10399-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75P03YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
别名:NP75P03YDG-E1-AYCT
NP75P03YDGE1AY
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA130N065T2
仓库库存编号:
IXTA130N065T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N065T2
仓库库存编号:
IXTP130N065T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ82N25P
仓库库存编号:
IXTQ82N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N20P
仓库库存编号:
IXTQ96N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH96N20P
仓库库存编号:
IXTH96N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH96N20P
仓库库存编号:
IXFH96N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK82N25P
仓库库存编号:
IXTK82N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT96N20P
仓库库存编号:
IXTT96N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT96N20P
仓库库存编号:
IXFT96N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 28A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC40N60C
仓库库存编号:
IXKC40N60C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH44N50Q3
仓库库存编号:
IXFH44N50Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N08
仓库库存编号:
IXFT80N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT44N50Q3
仓库库存编号:
IXFT44N50Q3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N085
仓库库存编号:
IXFT80N085-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 144W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N08S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N08S405ATMA1-ND
别名:SP000984282
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名:SP000984296
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V,
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