规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(2)
TO-220-3(3)
TO-247-3(11)
TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA(2)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
TO-264-3，TO-264AA(1)
TO-220-7(2)
TO-220-7（成形引线）(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(6)
8-SMD，扁平引线裸焊盘(2)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
TO-220-3（SMT）标片(3)
ISOPLUS220?(4)
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STMicroelectronics(1)
On Semiconductor(1)
Vishay Siliconix(1)
IXYS(29)
Renesas Electronics America(3)
Infineon Technologies(9)
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表面贴装(16)
通孔(28)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(21)
-55°C ~ 175°C（TJ）(15)
175°C（TJ）(3)
-40°C ~ 175°C（TJ）(5)
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-(5)
DeepGATE?，STripFET?(1)
TrenchFET?(1)
HiPerFET??(16)
PolarHT??(6)
CoolMOS??(1)
TrenchT2??(2)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(4)
TEMPFET?(5)
PolarHT?? HiPerFET??(3)
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剪切带（CT） (6)
带卷（TR） (3)
管件 (33)
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已不再提供(1)
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过期(15)
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TO-220AB(2)
DPAK-3(1)
TO-252，（D-Pak）(1)
TO-263（IXTA）(1)
TO-247AD(1)
TO-3P(2)
TO-247（IXTH）(1)
TO-247AD（IXFH）(8)
TO-268(8)
TO-264（IXTK）(1)
PG-TO252-3-313(1)
8-HSON(2)
PG-TO263-3-2(1)
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PG-TO220-3-1(1)
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PG-TO262-3-1(1)
PG-TO263-7-1(1)
TO-252（MP-3ZK）(1)
ISOPLUS220?(4)
PLUS220(1)
PG-TO220-7-180(1)
PG-TO220-7-230(1)
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MOSFET（金属氧化物）(44)
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±30V(3)
±20V(41)
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85nC @ 10V(1)
210nC @ 10V(1)
150nC @ 10V(1)
180nC @ 10V(8)
200nC @ 10V(5)
96nC @ 10V(1)
90nC @ 10V(1)
145nC @ 10V(6)
68nC @ 10V(1)
140nC @ 10V(1)
70nC @ 10V(3)
141nC @ 10V(1)
93nC @ 10V(3)
230nC @ 10V(1)
142nC @ 10V(3)
79nC @ 10V(2)
232nC @ 10V(5)
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16 毫欧 @ 29A，10V(1)
9.4 毫欧 @ 24A，10V(1)
11 毫欧 @ 40A，10V(2)
85 毫欧 @ 500mA，10V(1)
100 毫欧 @ 500mA，10V(1)
5.3 毫欧 @ 90A，10V(1)
75 毫欧 @ 23A，10V(1)
140 毫欧 @ 22A，10V(2)
6.5 毫欧 @ 36A，10V(5)
6.6 毫欧 @ 50A，10V(2)
35 毫欧 @ 41A，10V(3)
5.5 毫欧 @ 80A，10V(1)
154 毫欧 @ 22A，10V(1)
8 毫欧 @ 45A，10V(1)
9 毫欧 @ 40A，10V(4)
6.2 毫欧 @ 37.5A，10V(1)
24 毫欧 @ 500mA，10V(6)
95 毫欧 @ 28A，10V(1)
5.8 毫欧 @ 80A，10V(2)
12.5 毫欧 @ 40A，10V(2)
80 毫欧 @ 20A，10V(2)
9.5 毫欧 @ 28A，10V(1)
9.7 毫欧 @ 37.5A，10V(1)
100 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
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10V(34)
5V，10V(2)
4.5V，10V(8)
重新选择
N 沟道(40)
P 沟道(4)
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35A（Tc）(2)
28A（Tc）(1)
130A（Tc）(2)
40A（Tc）(3)
25A（Tc）(1)
90A（Tc）(2)
50A（Tc）(1)
75A（Tc）(2)
44A（Tc）(2)
11A（Ta），61A（Tc）(1)
55A（Tc）(1)
80A（Tc）(16)
38A（Tc）(1)
96A（Tc）(6)
82A（Tc）(3)
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4800pF @ 25V(44)
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-(38)
超级结(1)
温度检测二极管(5)
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4V @ 250μA(4)
2.5V @ 250μA(4)
5V @ 250μA(6)
3V @ 250μA(1)
5V @ 4mA(3)
4V @ 4mA(13)
4V @ 90μA(4)
6.5V @ 4mA(3)
2V @ 240μA(5)
3.9V @ 2mA(1)
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-(1)
250W（Tc）(2)
150W（Tc）(4)
3W（Ta），136W（Tc）(1)
4.1W（Ta），118W（Tc）(1)
300W（Tc）(16)
280W（Tc）(1)
230W（Tc）(3)
830W（Tc）(2)
600W（Tc）(6)
144W（Tc）(1)
500W（Tc）(3)
1W（Ta），138W（Tc）(2)
1.2W（Ta），77W（Tc）(1)
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65V(2)
80V(7)
200V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK-3
型号：
NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名：NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号：
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名：SUD50P04-09L-E3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH40N30
仓库库存编号：
IXFH40N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-1
型号：
BTS282ZE3180AATMA2
仓库库存编号：
BTS282ZE3180AATMA2CT-ND
别名：BTS282ZE3180AATMA2CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7
型号：
BTS282ZE3230AKSA2
仓库库存编号：
BTS282ZE3230AKSA2-ND
别名：SP000969786
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXTT82N25P
仓库库存编号：
IXTT82N25P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR44N50Q3
仓库库存编号：
IXFR44N50Q3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP90N55F4
仓库库存编号：
497-10399-5-ND
别名：497-10399-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
型号：
NP75P03YDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
别名：NP75P03YDG-E1-AYCT
NP75P03YDGE1AY
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N065T2
仓库库存编号：
IXTA130N065T2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP130N065T2
仓库库存编号：
IXTP130N065T2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ82N25P
仓库库存编号：
IXTQ82N25P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N20P
仓库库存编号：
IXTQ96N20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH96N20P
仓库库存编号：
IXFH96N20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK82N25P
仓库库存编号：
IXTK82N25P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT96N20P
仓库库存编号：
IXTT96N20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT96N20P
仓库库存编号：
IXFT96N20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 28A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC40N60C
仓库库存编号：
IXKC40N60C-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH44N50Q3
仓库库存编号：
IXFH44N50Q3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N08
仓库库存编号：
IXFT80N08-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 44A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXFT44N50Q3
仓库库存编号：
IXFT44N50Q3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N085
仓库库存编号：
IXFT80N085-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 144W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N08S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N08S405ATMA1-ND
别名：SP000984282
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名：SP000984296
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
无铅
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