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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984298
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984300
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH35N30
  仓库库存编号：IXFH35N30-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 96A（Tc） 600W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV96N20P
  仓库库存编号：IXFV96N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N08
  仓库库存编号：IXFC80N08-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N085
  仓库库存编号：IXFC80N085-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N10
  仓库库存编号：IXFC80N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N08
  仓库库存编号：IXFH80N08-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N085
  仓库库存编号：IXFH80N085-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N10
  仓库库存编号：IXFH80N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFJ40N30
  仓库库存编号：IXFJ40N30-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP264
  仓库库存编号：IRFP264X-ND
  别名：IRFP264X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N055SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N055SDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P04YLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P04YLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P04YLG-E1-AYCT
  NP75P04YLGE1AY
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH35N30Q
  仓库库存编号：IXFH35N30Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFJ40N30Q
  仓库库存编号：IXFJ40N30Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
  
  型号：BTS282Z E3180A
  仓库库存编号：BTS282ZE3180AINCT-ND
  别名：BTS282ZE3180AINCT
  BTS282ZE3180ATINCT
  BTS282ZE3180ATINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7
  
  型号：BTS282ZAKSA1
  仓库库存编号：BTS282ZAKSA1-ND
  别名：BTS282Z
  BTS282Z-ND
  BTS282ZXK
  SP000399016
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-230
  
  型号：BTS282Z E3230
  仓库库存编号：BTS282Z E3230-ND
  别名：BTS282ZE3230
  BTS282ZE3230AKSA1
  BTS282ZE3230NK
  SP000012357
  SP000457996
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V,
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