规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP48P05T
仓库库存编号:
IXTP48P05T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY48P05T
仓库库存编号:
IXTY48P05T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48P05T
仓库库存编号:
IXTA48P05T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S08AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N06S08AKSA1-ND
别名:SP000054054
SP000084810
SPP80N06S-08
SPP80N06S-08-ND
SPP80N06S08
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号:
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名:SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S-08
仓库库存编号:
SPI80N06S-08-ND
别名:SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3660pF @ 25V,
含铅
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