规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N08-16-E3
仓库库存编号:
SUD40N08-16-E3CT-ND
别名:SUD40N08-16-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
IRF540NPBF-ND
别名:*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRF540NLPBF
仓库库存编号:
IRF540NLPBF-ND
别名:*IRF540NLPBF
SP001571292
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名:IRFR3411TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF540NSTRLPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRF540NL
仓库库存编号:
IRF540NL-ND
别名:*IRF540NL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号:
IRFSL23N20D102P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V,
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