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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ110N10P
仓库库存编号:
IXTQ110N10P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N10P
仓库库存编号:
IXFH110N10P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18F60B
仓库库存编号:
APT18F60B-ND
别名:APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10P
仓库库存编号:
IXTT110N10P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
FDH27N50
仓库库存编号:
FDH27N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC110N10P
仓库库存编号:
IXFC110N10P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV110N10P
仓库库存编号:
IXFV110N10P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV110N10PS
仓库库存编号:
IXFV110N10PS-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 19A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT18F60S
仓库库存编号:
APT18F60S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 25V,
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