规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(26)
分立半导体产品
(26)
筛选品牌
Infineon Technologies (4)
IXYS (15)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-15-E3
仓库库存编号：
SUD50P04-15-E3CT-ND
别名：SUD50P04-15-E3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48P20P
仓库库存编号：
IXTH48P20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
别名：IPB80N08S2L-07CT
IPB80N08S2L-07CT-ND
IPB80N08S2L07ATMA1CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP264PBF
仓库库存编号：
IRFP264PBF-ND
别名：*IRFP264PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
型号：
IXTT48P20P
仓库库存编号：
IXTT48P20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 330W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA70N15
仓库库存编号：
FQA70N15-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR48P20P
仓库库存编号：
IXTR48P20P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07-ND
IPP80N08S2L07
SP000219050
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 163A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 117W（Tc） DPAK
型号：
NVD5C434NT4G
仓库库存编号：
NVD5C434NT4GOSCT-ND
别名：NVD5C434NT4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ470P2
仓库库存编号：
IXTQ470P2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N06P
仓库库存编号：
IXTQ200N06P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH75N15
仓库库存编号：
IXTH75N15-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N120P
仓库库存编号：
IXFH12N120P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT74N20
仓库库存编号：
IXFT74N20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK62N25
仓库库存编号：
IXTK62N25-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20
仓库库存编号：
IXFH74N20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX73N30Q
仓库库存编号：
IXFX73N30Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK73N30Q
仓库库存编号：
IXFK73N30Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 73A（Tc） 481W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN73N30Q
仓库库存编号：
IXFN73N30Q-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
SP000219053
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP264
仓库库存编号：
IRFP264-ND
别名：*IRFP264
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 150V 44A（Tc） 130W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF70N15
仓库库存编号：
FQAF70N15-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV12N120P
仓库库存编号：
IXFV12N120P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV12N120PS
仓库库存编号：
IXFV12N120PS-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
