规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 156W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK20V60W5,LVQ
仓库库存编号:
TK20V60W5LVQCT-ND
别名:TK20V60W5LVQCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 60V 31A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2031ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2031ENGRCT-ND
别名:917-EPC2031ENGRCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
详细描述:通孔 N 沟道 17.3A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK17N65W,S1F
仓库库存编号:
TK17N65WS1F-ND
别名:TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17.3A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK17E65W,S1X
仓库库存编号:
TK17E65WS1X-ND
别名:TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK20A60W5,S5VX
仓库库存编号:
TK20A60W5S5VX-ND
别名:TK20A60W5,S5VX(M
TK20A60W5,S5VX-ND
TK20A60W5S5VX
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK20N60W5,S1VF
仓库库存编号:
TK20N60W5S1VF-ND
别名:TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 300V,
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EPC
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2031ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2031ENGR-ND
别名:917-EPC2031ENGR
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