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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 9.5A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF15N70
  仓库库存编号：FQAF15N70-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV26N50P
  仓库库存编号：IXTV26N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV26N50PS
  仓库库存编号：IXTV26N50PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 130W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC26N50P
  仓库库存编号：IXTC26N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV22N60P
  仓库库存编号：IXTV22N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV22N60PS
  仓库库存编号：IXTV22N60PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV26N50P
  仓库库存编号：IXFV26N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV26N50PS
  仓库库存编号：IXFV26N50PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 130W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC26N50P
  仓库库存编号：IXFC26N50P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV22N60P
  仓库库存编号：IXFV22N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV22N60PS
  仓库库存编号：IXFV22N60PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT17N80Q
  仓库库存编号：IXFT17N80Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06_NW82049
  仓库库存编号：FQP47P06_NW82049-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06_SW82049
  仓库库存编号：FQP47P06_SW82049-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N15
  仓库库存编号：IXFH70N15-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP80N055MHE-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N055MHE-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT58N20Q TRL
  仓库库存编号：IXFT58N20Q TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705NS
  仓库库存编号：IRL3705NS-ND
  别名：*IRL3705NS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705NSTRL
  仓库库存编号：IRL3705NSTRL-ND
  别名：SP001571922
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3705NL
  仓库库存编号：IRL3705NL-ND
  别名：*IRL3705NL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705NSTRR
  仓库库存编号：IRL3705NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 174A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1302S
  仓库库存编号：IRF1302S-ND
  别名：*IRF1302S
  Q1432949
  SP001569922
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3705NLPBF
  仓库库存编号：IRL3705NLPBF-ND
  别名：*IRL3705NLPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM30NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM30NQ10T,518-ND
  别名：934057308518
  PHM30NQ10T /T3
  PHM30NQ10T /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 45A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI45N06S3L-13
  仓库库存编号：IPI45N06S3L-13IN-ND
  别名：IPI45N06S3L-13-ND
  IPI45N06S3L-13IN
  IPI45N06S3L13X
  IPI45N06S3L13XK
  SP000102216
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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