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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF16N50C-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP448PBF
仓库库存编号:
IRFP448PBF-ND
别名:*IRFP448PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 265W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5024BLLG
仓库库存编号:
APT5024BLLG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名:BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 69A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ48N
仓库库存编号:
AUIRFZ48N-ND
别名:SP001518286
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9NK80Z
仓库库存编号:
497-5108-5-ND
别名:497-5108-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP448
仓库库存编号:
IRFP448-ND
别名:*IRFP448
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40
仓库库存编号:
IRFPE40-ND
别名:*IRFPE40
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ40
仓库库存编号:
IRFZ40-ND
别名:*IRFZ40
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44S
仓库库存编号:
IRFZ44S-ND
别名:*IRFZ44S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44STRR
仓库库存编号:
IRFZ44STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ44L
仓库库存编号:
IRFZ44L-ND
别名:*IRFZ44L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44STRL
仓库库存编号:
IRFZ44STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRR
仓库库存编号:
IRL3103D1STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44R
仓库库存编号:
IRFZ44R-ND
别名:*IRFZ44R
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44RSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44RSTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 57.5A(Tc) 146W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP58N08
仓库库存编号:
FQP58N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 80V 44A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF58N08
仓库库存编号:
FQAF58N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60T
仓库库存编号:
FQPF12N60T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 180W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12N60
仓库库存编号:
FQP12N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N60TM_AM002
仓库库存编号:
FQB12N60TM_AM002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N60TU
仓库库存编号:
FQI12N60TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA12N60
仓库库存编号:
FQA12N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.8A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF12N60
仓库库存编号:
FQAF12N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60
仓库库存编号:
FQPF12N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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