规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44STRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ44STRRPBFCT-ND
别名:IRFZ44STRRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 24A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1310N
仓库库存编号:
IRFI1310N-ND
别名:*IRFI1310N
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 36A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48N
仓库库存编号:
IRFIZ48N-ND
别名:*IRFIZ48N
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1
仓库库存编号:
IRL3103D1-ND
别名:*IRL3103D1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1S
仓库库存编号:
IRL3103D1S-ND
别名:*IRL3103D1S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP048N
仓库库存编号:
IRFP048N-ND
别名:*IRFP048N
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 160W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP150N
仓库库存编号:
IRFP150N-ND
别名:*IRFP150N
SP001572746
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) TO-262
型号:
IRF1310NL
仓库库存编号:
IRF1310NL-ND
别名:*IRF1310NL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1310NSTRR
仓库库存编号:
IRF1310NSTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRL
仓库库存编号:
IRL3103D1STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1PBF
仓库库存编号:
IRL3103D1PBF-ND
别名:*IRL3103D1PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRLP
仓库库存编号:
IRL3103D1STRLPCT-ND
别名:IRL3103D1STRLPCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V,
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