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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203STRL
  仓库库存编号：IRL2203STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203STRR
  仓库库存编号：IRL2203STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90
  仓库库存编号：FQAF11N90-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80
  仓库库存编号：FQA13N80-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90
  仓库库存编号：FQA11N90-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 42A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC96N15P
  仓库库存编号：IXFC96N15P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 96A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV96N15P
  仓库库存编号：IXFV96N15P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 96A（Tc） 480W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV96N15PS
  仓库库存编号：IXFV96N15PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6412ANT4G
  仓库库存编号：NTB6412ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6412ANT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 1W（Ta），102W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP50P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P03YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP50P03YDG-E1-AY-ND
  NP50P03YDG-E1-AYTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-GE3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5020BN
  仓库库存编号：APT5020BN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5020BNFR
  仓库库存编号：APT5020BNFR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5022BNG
  仓库库存编号：APT5022BNG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6030BN
  仓库库存编号：APT6030BN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2203N
  仓库库存编号：IRLI2203N-ND
  别名：*IRLI2203N
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2203NPBF
  仓库库存编号：IRLI2203NPBF-ND
  别名：*IRLI2203NPBF
  SP001558790
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V,
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