以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA33T1G
  仓库库存编号：APTM100DA33T1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7868pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK33T1G
  仓库库存编号：APTM100SK33T1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7868pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU2
  仓库库存编号：APT26M100JCU2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7868pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU3
  仓库库存编号：APT26M100JCU3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7868pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 21A 390W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM100A40FT1G
  仓库库存编号：APTM100A40FT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7868pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索