规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-07L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-07L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-07L-E3-ND
SUM110P06-07L-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 41.7W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI260N6F6
仓库库存编号:
497-14194-5-ND
别名:497-14194-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI260N6F6
仓库库存编号:
497-11329-5-ND
别名:497-11329-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R8-75C,118
仓库库存编号:
1727-5527-1-ND
别名:1727-5527-1
568-7006-1
568-7006-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP260N6F6
仓库库存编号:
497-11230-5-ND
别名:497-11230-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 94A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH94N30T
仓库库存编号:
IXFH94N30T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 94A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXFT94N30T
仓库库存编号:
IXFT94N30T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX170N20P
仓库库存编号:
IXFX170N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20P
仓库库存编号:
IXFK170N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7502-5-ND
别名:568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11400pF @ 25V,
含铅
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