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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF10L
仓库库存编号:
497-6741-5-ND
别名:497-6741-5
STP40NF10L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A60DSTA4QM-ND
别名:TK13A60DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB40NF10LT4
仓库库存编号:
497-3736-1-ND
别名:497-3736-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N40
仓库库存编号:
FQP17N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP13N50
仓库库存编号:
FQP13N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 21A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5021ANX
仓库库存编号:
R5021ANX-ND
别名:R5021ANXCT
R5021ANXCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N40T
仓库库存编号:
FQPF17N40T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 227.2W(Tc) TO-3PSG
型号:
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号:
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名:RJK60S7DPKM0T0
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34.7W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名:RJK60S7DPPE0T2
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 111W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4F7AG
仓库库存编号:
497-16679-1-ND
别名:497-16679-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 101A(Tc) 101W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C446NT4G
仓库库存编号:
NVD5C446NT4GOSCT-ND
别名:NVD5C446NT4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 111W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL160N4F7
仓库库存编号:
STL160N4F7-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A50D(STA4QM)-ND
别名:TK15A50D(STA4QM)
TK15A50DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名:TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP42N25P
仓库库存编号:
IXTP42N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5021ANJTL
仓库库存编号:
R5021ANJTL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA42N25P
仓库库存编号:
IXTA42N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ42N25P
仓库库存编号:
IXTQ42N25P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号:
IRFPC50LCPBF-ND
别名:*IRFPC50LCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS10PF30L
仓库库存编号:
497-4120-1-ND
别名:497-4120-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK28N3LLH5
仓库库存编号:
497-8901-1-ND
别名:497-8901-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LC
仓库库存编号:
IRFPC50LC-ND
别名:*IRFPC50LC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12.5A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50
仓库库存编号:
FQPF13N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12.5A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50T
仓库库存编号:
FQPF13N50T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 9.5A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N40
仓库库存编号:
FQPF17N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
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