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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 400V 12.2A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF17N40
仓库库存编号:
FQAF17N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 17.2A(Tc) 190W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA17N40
仓库库存编号:
FQA17N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13.4A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA13N50
仓库库存编号:
FQA13N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC13N80C
仓库库存编号:
IXKC13N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 54A(Tc) 2W(Ta),70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D2
仓库库存编号:
IRL3103D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2S
仓库库存编号:
IRL3103D2S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2STRL
仓库库存编号:
IRL3103D2STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 54A(Tc) 2W(Ta),70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D2PBF
仓库库存编号:
IRL3103D2PBF-ND
别名:*IRL3103D2PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-13-ND
别名:SP000012478
SPD30N06S2L13T
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD50N06S2L-13-ND
别名:SP000013568
SPD50N06S2L13T
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 25V,
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