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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60X,LQ
  仓库库存编号：TK31V60XLQCT-ND
  别名：TK31V60XLQCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60W5S1VF-ND
  别名：TK31N60W5,S1VF(S
  TK31N60W5,S1VF-ND
  TK31N60W5S1VF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60X,S1X
  仓库库存编号：TK31E60XS1X-ND
  别名：TK31E60X,S1X(S
  TK31E60XS1X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60X,S1F
  仓库库存编号：TK31N60XS1F-ND
  别名：TK31N60X,S1F(S
  TK31N60XS1F
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：TK31V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60W5LVQCT-ND
  别名：TK31V60W5LVQCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 27.6A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK28N65W,S1F
  仓库库存编号：TK28N65WS1F-ND
  别名：TK28N65W,S1F(S
  TK28N65WS1F
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60WS1VF-ND
  别名：TK31N60W,S1VF(S
  TK31N60WS1VF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60WS1VQ-ND
  别名：TK31J60W,S1VQ(O
  TK31J60WS1VQ
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 27.6A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK28A65W,S5X
  仓库库存编号：TK28A65WS5X-ND
  别名：TK28A65W,S5X(M
  TK28A65WS5X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V,
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