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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S4L05ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S4L05ATMA2-ND
  别名：SP001028748
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S4L05ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S4L05ATMA2-ND
  别名：SP001028720
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L-03-ND
  别名：Q1620887
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2L-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2L-03IN
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPB100N03S2L-INTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L03T
  仓库库存编号：SPB100N03S2L03T-ND
  别名：SP000013460
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L03-ND
  别名：SP000013491
  SPI100N03S2L03X
  SPI100N03S2L03X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2L03
  仓库库存编号：SPP100N03S2L03-ND
  别名：SP000013462
  SPP100N03S2L03X
  SPP100N03S2L03X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200141
  SPB100N03S2L03GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016252
  SPB80N03S2L03T
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200142
  SPB80N03S2L03GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016261
  SPI80N03S2L03X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-03-ND
  别名：SP000012469
  SPP80N03S2L03X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4L-05
  IPB80N06S4L-05-ND
  SP000415570
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-05
  IPD90N06S4L-05-ND
  SP000415588
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S4L05AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S4L05AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4L-05
  IPI80N06S4L-05-ND
  SP000415692
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S4L05AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S4L05AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4L-05
  IPP80N06S4L-05-ND
  SP000415708
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V,
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