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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L11AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L11AKSA2-ND
  别名：SP001061296
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L11ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L11ATMA2-ND
  别名：SP001061398
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S2L11AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S2L11AKSA2-ND
  别名：SP001061396
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L11ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-11
  IPB80N06S2L-11-ND
  SP000218177
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S2L11AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S2L11AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S2L-11
  IPI80N06S2L-11-ND
  SP000218176
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L11AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L11AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-11
  IPP80N06S2L-11-ND
  SP000218175
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2075pF @ 25V,
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