规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB70N10L
仓库库存编号:
SPB70N10L-ND
别名:SP000012079
SPB70N10LT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2-07-ND
别名:SP000013578
SPB80N06S207T
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI70N10L
仓库库存编号:
SPI70N10L-ND
别名:SP000014005
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2-07
仓库库存编号:
SPI80N06S2-07-ND
别名:SP000013784
SPI80N06S207
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N10L
仓库库存编号:
SPI80N10L-ND
别名:SP000014351
SPI80N10LX
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP70N10L
仓库库存编号:
SPP70N10LIN-ND
别名:SP000012103
SPP70N10L-ND
SPP70N10LIN
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2-07-ND
别名:SP000013579
SPP80N06S207
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N10L
仓库库存编号:
SPP80N10L-ND
别名:SP000014349
SPP80N10LX
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4540pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L G
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SPB80N10LGINCT-ND
别名:SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
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