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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 75A（Tc） 3.75W（Ta），187W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP75P03-07-E3
仓库库存编号：
SUP75P03-07-E3-ND
别名：SUP75P0307E3
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN200N07
仓库库存编号：
IXFN200N07-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK90N20
仓库库存编号：
IXFK90N20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 52A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL502J
仓库库存编号：
APL502J-ND
别名：APL502JMI
APL502JMI-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APL502LG
仓库库存编号：
APL502LG-ND
别名：APL502LGMI
APL502LGMI-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB170NF04
仓库库存编号：
497-12535-1-ND
别名：497-12535-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 106A（Tc） 521W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN106N20
仓库库存编号：
IXFN106N20-ND
别名：460915
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 73A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN73N30
仓库库存编号：
IXFN73N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N60
仓库库存编号：
IXFN36N60-ND
别名：460869
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK110N07
仓库库存编号：
IXFK110N07-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120P10_10M1LGE3
仓库库存编号：
SQM120P10_10M1LGE3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK73N30
仓库库存编号：
IXFK73N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 150A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK150N10
仓库库存编号：
IXFK150N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N60
仓库库存编号：
IXFK32N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK36N60
仓库库存编号：
IXFK36N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK100N10
仓库库存编号：
IXFK100N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N20
仓库库存编号：
IXFN100N20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 70V 180A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN180N07
仓库库存编号：
IXFN180N07-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N60
仓库库存编号：
IXFN32N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL502B2G
仓库库存编号：
APL502B2G-ND
别名：APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL602B2G
仓库库存编号：
APL602B2G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APL602LG
仓库库存编号：
APL602LG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL602J
仓库库存编号：
APL602J-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 150A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN150N10
仓库库存编号：
IXFN150N10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 3.75W（Ta），187W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUB75P03-07-E3
仓库库存编号：
SUB75P03-07-E3CT-ND
别名：SUB75P03-07-E3-ND
SUB75P03-07-E3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9000pF @ 25V,
无铅
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