以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0
  仓库库存编号：FDB035AN06A0CT-ND
  别名：FDB035AN06A0CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0
  仓库库存编号：FDP038AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 237W（Tc） TO-220
  
  型号：STP220N6F7
  仓库库存编号：497-16120-5-ND
  别名：497-16120-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDB035AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDB035AN06A0_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0_F102
  仓库库存编号：FDP038AN06A0_F102-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N15
  仓库库存编号：IXTK90N15-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N55Q
  仓库库存编号：IXFX44N55Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N55Q
  仓库库存编号：IXFK44N55Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE73N30Q
  仓库库存编号：IXFE73N30Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF04L
  仓库库存编号：497-4819-5-ND
  别名：497-4819-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB200NF04L-1
  仓库库存编号：497-6190-5-ND
  别名：497-6190-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF04L
  仓库库存编号：497-6549-1-ND
  别名：497-6549-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N085T
  仓库库存编号：IXTA160N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP160N085T
  仓库库存编号：IXTP160N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N085T
  仓库库存编号：IXTQ160N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索