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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460PBF
仓库库存编号:
IRFP460PBF-ND
别名:*IRFP460PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50
仓库库存编号:
IXFH26N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N80
仓库库存编号:
IXFH13N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH24P20
仓库库存编号:
IXTH24P20-ND
别名:Q1163049
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N50
仓库库存编号:
IXFH24N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50
仓库库存编号:
IXFH21N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH21N50
仓库库存编号:
IXTH21N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX450N20
仓库库存编号:
RCX450N20-ND
别名:RCX450N20CT
RCX450N20CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90142E_GE3
仓库库存编号:
SQP90142E_GE3-ND
别名:SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ450N20TL
仓库库存编号:
RCJ450N20TLCT-ND
别名:RCJ450N20TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM90142E_GE3
仓库库存编号:
SQM90142E_GE3CT-ND
别名:SQM90142E_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 284W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW32N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW32N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-ND
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3IN-ND
SPW32N50C3X
SPW32N50C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C08-55AITE,118
仓库库存编号:
BUK7C08-55AITE,118-ND
别名:934057948118
BUK7C08-55AITE /T3
BUK7C08-55AITE /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT50P085
仓库库存编号:
IXTT50P085-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT24P20
仓库库存编号:
IXTT24P20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH24N50
仓库库存编号:
IXTH24N50-ND
别名:Q2768977
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50
仓库库存编号:
IXFT26N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50
仓库库存编号:
IXFR24N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N50
仓库库存编号:
IXFR26N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH11N80
仓库库存编号:
IXFH11N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N50
仓库库存编号:
IXFT24N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N90
仓库库存编号:
IXFH13N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90
仓库库存编号:
IXFH12N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3W(Ta),70W(Tc) 8-SOIC-EP
型号:
STSJ100NHS3LL
仓库库存编号:
STSJ100NHS3LL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460
仓库库存编号:
IRFP460IR-ND
别名:*IRFP460
IRFP460IR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V,
含铅
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