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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3127(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3127(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS125N03TB1
  仓库库存编号：RRS125N03TB1CT-ND
  别名：RRS125N03TB1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 60A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK3128(Q)
  仓库库存编号：2SK3128(Q)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 45A（Ta） 125W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2744(F)
  仓库库存编号：2SK2744(F)-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.5A（Ta） 1.6W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8320-TL-H
  仓库库存编号：ECH8320-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 30A（Tc） 1.5W（Ta），56W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3481-AZ
  仓库库存编号：2SK3481-AZ-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Ta） 1W（Ta），40W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3483-AZ
  仓库库存编号：2SK3483-AZ-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 10V,
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