规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(17)
分立半导体产品
(17)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
ON Semiconductor (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4085LS
仓库库存编号:
869-1042-ND
别名:869-1042
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4124
仓库库存编号:
869-1070-ND
别名:869-1070
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4125
仓库库存编号:
869-1071-ND
别名:869-1071
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4087LS
仓库库存编号:
2SK4087LS-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4089LS
仓库库存编号:
2SK4089LS-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4126
仓库库存编号:
2SK4126-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4037
仓库库存编号:
BFL4037-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.7A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4007
仓库库存编号:
BFL4007-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4085LS-1E
仓库库存编号:
2SK4085LS-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4087LS-1E
仓库库存编号:
2SK4087LS-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4124-1E
仓库库存编号:
2SK4124-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4125-1E
仓库库存编号:
2SK4125-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4007-1E
仓库库存编号:
BFL4007-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4037-1E
仓库库存编号:
BFL4037-1E-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Tc) 36W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP260N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP260N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP260N06N3 G
IPP260N06N3 G-ND
SP000453638
SP000680918
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 30V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号