规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW3N170
仓库库存编号：
497-16308-5-ND
别名：497-16308-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH6400ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPH6400ENHL1QCT-ND
别名：TPH6400ENH,L1QCT
TPH6400ENH,L1QCT-ND
TPH6400ENHL1QCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名：TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFD
仓库库存编号：
IPB65R310CFDCT-ND
别名：IPB65R310CFDCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW15N80K5
仓库库存编号：
497-13447-ND
别名：497-13447
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90R800C3
仓库库存编号：
IPP90R800C3-ND
别名：IPP90R800C3XKSA1
SP000413748
SP000683102
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R299CPXKSA1-ND
别名：IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU15N80K5
仓库库存编号：
497-16108-5-ND
别名：497-16108-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
含铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 160mW TO-247-3
型号：
STW3N170
仓库库存编号：
497-16332-5-ND
别名：497-16332-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R299CP
仓库库存编号：
IPL60R299CPCT-ND
别名：IPL60R299CPCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R299CP
仓库库存编号：
IPW60R299CP-ND
别名：IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB15N80K5
仓库库存编号：
497-13423-1-ND
别名：497-13423-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述：N 沟道 8A（Ta） 33W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R650CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA80R650CEXKSA2-ND
别名：SP001313394
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA08N80C3
仓库库存编号：
SPA08N80C3IN-ND
别名：SP000216310
SPA08N80C3IN
SPA08N80C3X
SPA08N80C3XK
SPA08N80C3XKSA1
SPA08N80C3XTIN
SPA08N80C3XTIN-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08N80C3
仓库库存编号：
SPP08N80C3IN-ND
别名：SP000013704
SP000683156
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3X
SPP08N80C3XK
SPP08N80C3XKSA1
SPP08N80C3XTIN
SPP08N80C3XTIN-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R310CFD
仓库库存编号：
IPP65R310CFD-ND
别名：IPP65R310CFDXKSA1
SP000745028
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R800C3
仓库库存编号：
IPW90R800C3-ND
别名：IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI08N80C3
仓库库存编号：
SPI08N80C3IN-ND
别名：SP000014819
SP000683148
SPI08N80C3-ND
SPI08N80C3IN
SPI08N80C3X
SPI08N80C3XK
SPI08N80C3XKSA1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP15N80K5
仓库库存编号：
497-13441-ND
别名：497-13441
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA90R800C3
仓库库存编号：
IPA90R800C3-ND
别名：IPA90R800C3XKSA1
SP000413718
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF15N80K5
仓库库存编号：
497-13437-ND
别名：497-13437
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 102W（Tc） TO-220-3
型号：
TK13E25D,S1X(S
仓库库存编号：
TK13E25DS1X(S-ND
别名：TK13E25DS1X(S
TK13E25DS1XS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP13N60C5
仓库库存编号：
IXKP13N60C5-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） TO-220ABFP
型号：
IXKP13N60C5M
仓库库存编号：
IXKP13N60C5M-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名：SP000949258
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
无铅
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