以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PG
  仓库库存编号：GP2M005A060PG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 658pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A060CG
  仓库库存编号：1560-1199-1-ND
  别名：1560-1199-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 658pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M005A060FG
  仓库库存编号：1560-1200-5-ND
  别名：1560-1200-1
  1560-1200-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 658pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M005A060HG
  仓库库存编号：1560-1201-5-ND
  别名：1560-1201-1
  1560-1201-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 658pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PGH
  仓库库存编号：1560-1202-5-ND
  别名：1560-1202-1
  1560-1202-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 658pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索