规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-262
型号:
IRL3716LPBF
仓库库存编号:
IRL3716LPBF-ND
别名:*IRL3716LPBF
SP001558060
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716PBF
仓库库存编号:
IRL3716PBF-ND
别名:*IRL3716PBF
SP001558646
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRLPBF-ND
别名:SP001578504
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5090pF @ 10V,
无铅
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